N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF4D5N10C

Κωδικός Προϊόντος της RS: 181-1917Κατασκευαστής: onsemiΚωδικός Κατασκευαστή: FDPF4D5N10C
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

16.07mm

Χώρα Προέλευσης

China

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 3,48

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 4,315

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF4D5N10C
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 3,48

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 4,315

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF4D5N10C
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

4.9mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

16.07mm

Χώρα Προέλευσης

China