Dual N-Channel MOSFET, 42 A, 60 V, 8-Pin DFN onsemi NTMFD5C674NLT1G

Κωδικός Προϊόντος της RS: 178-4314Κατασκευαστής: onsemiΚωδικός Κατασκευαστή: NTMFD5C674NLT1G
brand-logo
View all in MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

42 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.7 nC @ 4.5 V

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Χώρα Προέλευσης

Malaysia

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 2,72

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,373

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

Dual N-Channel MOSFET, 42 A, 60 V, 8-Pin DFN onsemi NTMFD5C674NLT1G

€ 2,72

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3,373

Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α

Dual N-Channel MOSFET, 42 A, 60 V, 8-Pin DFN onsemi NTMFD5C674NLT1G
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

42 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DFN

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

5.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

4.7 nC @ 4.5 V

Height

1.05mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Χώρα Προέλευσης

Malaysia