Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Package Type
TO-3P
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-35 V, +35 V
Width
5.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Height
24.5mm
Χώρα Προέλευσης
Korea, Republic Of
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Package Type
TO-3P
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-35 V, +35 V
Width
5.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Height
24.5mm
Χώρα Προέλευσης
Korea, Republic Of
Λεπτομέρειες Προϊόντος