Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
8 to 80mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Height
0.97mm
Width
1.3mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,10
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,124
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
Standard
100
€ 0,10
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,124
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
Standard
100
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
8 to 80mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Height
0.97mm
Width
1.3mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.