Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
CPH3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
25
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
CPH3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


