Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
144 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Height
16.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,67
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,311
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
800
€ 2,67
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,311
Μονάδας (Σε μία ράγα των 800) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
800
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
800 - 800 | € 2,67 | € 2.136,00 |
1600 - 2400 | € 2,29 | € 1.832,00 |
3200 - 4800 | € 2,27 | € 1.816,00 |
5600+ | € 2,22 | € 1.776,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
190 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
144 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Width
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Height
16.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China