Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
375 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
P
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
160mJ
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Gate Capacitance
5100pF
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 8,39
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,404
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) Με Φ.Π.Α
450
€ 8,39
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,404
Μονάδας (Σε μία ράγα των 450) Με Φ.Π.Α
450
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
375 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
P
Pin Count
4
Switching Speed
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Energy Rating
160mJ
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Gate Capacitance
5100pF
Χώρα Προέλευσης
China