Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum DC Current Gain
8, 15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 91,50
€ 1,83 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 113,46
€ 2,269 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 91,50
€ 1,83 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 113,46
€ 2,269 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,83 | € 91,50 |
100+ | € 1,38 | € 69,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
100 W
Minimum DC Current Gain
8, 15
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
700 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.