Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimum DC Current Gain
20
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1100 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 21,70
€ 2,17 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,91
€ 2,691 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 21,70
€ 2,17 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,91
€ 2,691 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
800 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimum DC Current Gain
20
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1100 V
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.9 x 4.5 x 18.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.


