Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 5mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.92mm
Height
0.93mm
Width
1.3mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,33
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,409
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
€ 0,33
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,409
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,33 | € 8,25 |
100 - 225 | € 0,28 | € 7,00 |
250 - 475 | € 0,25 | € 6,25 |
500 - 975 | € 0,23 | € 5,75 |
1000+ | € 0,20 | € 5,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 5mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
50 Ω
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.92mm
Height
0.93mm
Width
1.3mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.