Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
18.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.29mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
18.5 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Length
10.29mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Width
9.65mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.83mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


