Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
20
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
62.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


