Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
6.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
75
P.O.A.
75
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
IPAK (TO-251)
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
2.38mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
6.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος