Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 198,00
€ 0,99 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 245,52
€ 1,228 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
€ 198,00
€ 0,99 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 245,52
€ 1,228 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,99 | € 19,80 |
| 500+ | € 0,86 | € 17,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
104 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC @ 5 V
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


