Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.63 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
20
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.63 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


