Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Width
3.5mm
Height
1.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 16,80
€ 0,84 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,83
€ 1,042 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Standard
20
€ 16,80
€ 0,84 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 20,83
€ 1,042 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,84 | € 16,80 |
| 200 - 480 | € 0,73 | € 14,60 |
| 500+ | € 0,63 | € 12,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Width
3.5mm
Height
1.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


