Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
3.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.65mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,03
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,277
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
€ 1,03
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,277
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
3.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.65mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος