Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
8.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 162,00
€ 0,81 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 200,88
€ 1,004 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
€ 162,00
€ 0,81 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 200,88
€ 1,004 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,81 | € 16,20 |
| 500+ | € 0,73 | € 14,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
8.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


