Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.6 nC @ 4.5 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
ChipFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
115 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.6 nC @ 4.5 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


