Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
446 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
158 nC @ 10 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 18,38
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 22,791
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
30
€ 18,38
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 22,791
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
30
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
30 - 90 | € 18,38 | € 551,40 |
120 - 240 | € 18,15 | € 544,50 |
270 - 480 | € 17,95 | € 538,50 |
510+ | € 17,77 | € 533,10 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
446 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
158 nC @ 10 V
Width
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
20.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China