Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,53
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,657
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
€ 0,53
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,657
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
25
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
25 - 50 | € 0,53 | € 13,25 |
75 - 125 | € 0,35 | € 8,75 |
150 - 275 | € 0,23 | € 5,75 |
300 - 575 | € 0,23 | € 5,75 |
600+ | € 0,23 | € 5,75 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
880 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος