E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

onsemi Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G

Κωδικός Προϊόντος της RS: 780-0611Κατασκευαστής: onsemiΚωδικός Κατασκευαστή: NTJD4152PT1G
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

880 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 8,50

€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 10,54

€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α

onsemi Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 8,50

€ 0,34 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 10,54

€ 0,422 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α

onsemi Dual P-Channel MOSFET, 880 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 NTJD4152PT1G
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

880 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

350 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more