Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
266 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος