Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
113.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.9mm
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
88 nC @ 11.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.05mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
1500
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
113.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.9mm
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
88 nC @ 11.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Height
1.05mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia


