Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
11.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
41.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.3 nC @ 4.5 V, 24.4 nC @ 11.5 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.1mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SO-8FL
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
11.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
41.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
11.3 nC @ 4.5 V, 24.4 nC @ 11.5 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.1mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


