Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.9mm
Length
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
16.12mm
Χώρα Προέλευσης
China
€ 308,00
€ 6,16 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 381,92
€ 7,638 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 308,00
€ 6,16 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 381,92
€ 7,638 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
48 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.9mm
Length
10.63mm
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Height
16.12mm
Χώρα Προέλευσης
China