Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 52,00
€ 0,13 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 64,48
€ 0,161 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
400
€ 52,00
€ 0,13 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 64,48
€ 0,161 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
400
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 400 - 800 | € 0,13 | € 26,00 |
| 1000 - 1800 | € 0,10 | € 20,00 |
| 2000+ | € 0,10 | € 20,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
3.1 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


