Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,45
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,558
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2
€ 0,45
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,558
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
2 - 98 | € 0,45 | € 0,90 |
100 - 198 | € 0,45 | € 0,90 |
200 - 498 | € 0,38 | € 0,76 |
500 - 998 | € 0,35 | € 0,70 |
1000+ | € 0,35 | € 0,70 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.94mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος