Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.37 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
329 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 80,00
€ 0,16 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 99,20
€ 0,198 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
500
€ 80,00
€ 0,16 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 99,20
€ 0,198 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,16 | € 8,00 |
| 1000+ | € 0,13 | € 6,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.37 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
329 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.9mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


