Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
68 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
NVTFS6H850N
Package Type
WDFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
3.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
0.75mm
€ 24,75
€ 0,99 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 30,69
€ 1,228 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
€ 24,75
€ 0,99 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 30,69
€ 1,228 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,99 | € 24,75 |
100 - 225 | € 0,86 | € 21,50 |
250+ | € 0,76 | € 19,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
68 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
NVTFS6H850N
Package Type
WDFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
3.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Height
0.75mm