Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 142,24
€ 142,24 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 176,38
€ 176,38 Μονάδας Με Φ.Π.Α
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
1
€ 142,24
€ 142,24 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 176,38
€ 176,38 Μονάδας Με Φ.Π.Α
onsemi NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiMaximum Continuous Collector Current
35 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20.0V
Number of Transistors
6
Package Type
DIP26
Configuration
3 Phase
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N