Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-883
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Dimensions
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Height
0.41mm
Width
0.68mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.08mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,15
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 8000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,186
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 8000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
8000
€ 0,15
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 8000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,186
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 8000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
8000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-883
Pin Count
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
4pF
Dimensions
1.08 x 0.68 x 0.41mm
Height
0.41mm
Width
0.68mm
Maximum Power Dissipation
100 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.08mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.