Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Renesas ElectronicsProduct Type
Photocoupler
Mount Type
Surface
Maximum Forward Voltage
1.4V
Number of Channels
1
Number of Pins
4
Package Type
Gull Wing
Input Current Type
DC
Maximum Input Current
80mA
Isolation Voltage
5000Vrms
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
100°C
Maximum Current Transfer Ratio
2000%
Minimum Current Transfer Ratio
200%
Typical Fall Time
100μs
Standards/Approvals
BS EN 62368-1, CAN/CSA-C22.2 No. 62368-1, DIN EN 60747-5-5, EN 62368-1, IEC 62368-1, UL1577
Series
PS
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The Renesas Electronics optically coupled isolators containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon darlington connected phototransistor. It has high isolation voltage.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 13,10
€ 1,31 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,24
€ 1,624 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 13,10
€ 1,31 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,24
€ 1,624 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
10
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 1,31 | € 13,10 |
| 20 - 40 | € 1,31 | € 13,10 |
| 50 - 70 | € 1,28 | € 12,80 |
| 80 - 90 | € 1,28 | € 12,80 |
| 100+ | € 1,02 | € 10,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Renesas ElectronicsProduct Type
Photocoupler
Mount Type
Surface
Maximum Forward Voltage
1.4V
Number of Channels
1
Number of Pins
4
Package Type
Gull Wing
Input Current Type
DC
Maximum Input Current
80mA
Isolation Voltage
5000Vrms
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
100°C
Maximum Current Transfer Ratio
2000%
Minimum Current Transfer Ratio
200%
Typical Fall Time
100μs
Standards/Approvals
BS EN 62368-1, CAN/CSA-C22.2 No. 62368-1, DIN EN 60747-5-5, EN 62368-1, IEC 62368-1, UL1577
Series
PS
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
The Renesas Electronics optically coupled isolators containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon darlington connected phototransistor. It has high isolation voltage.
