Renesas Electronics R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit Parallel EEPROM Memory 32-Pin TSOP

Κωδικός Προϊόντος της RS: 124-3670Κατασκευαστής: Renesas ElectronicsΚωδικός Κατασκευαστή: R1EV5801MBTDRDI#B0
brand-logo
View all in EEPROM

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Memory Size

1Mbit

Package Type

TSOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

32

Organisation

128 x 8 bit

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Maximum Operating Supply Voltage

5.5 V

Programming Voltage

2.7 → 5.5V

Number of Bits per Word

8bit

Dimensions

12.4 x 8.2 x 1.02mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Electrically Erasable PROM (EEPROM) with Parallel Access, Renesas Electronics

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Renesas Electronics R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit Parallel EEPROM Memory 32-Pin TSOP

P.O.A.

Renesas Electronics R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit Parallel EEPROM Memory 32-Pin TSOP
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Memory Size

1Mbit

Package Type

TSOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

32

Organisation

128 x 8 bit

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Maximum Operating Supply Voltage

5.5 V

Programming Voltage

2.7 → 5.5V

Number of Bits per Word

8bit

Dimensions

12.4 x 8.2 x 1.02mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Electrically Erasable PROM (EEPROM) with Parallel Access, Renesas Electronics