Renesas Electronics R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit Parallel EEPROM Memory 32-Pin TSOP

Κωδικός Προϊόντος της RS: 124-3670Κατασκευαστής: Renesas ElectronicsΚωδικός Κατασκευαστή: R1EV5801MBTDRDI#B0
brand-logo
Προβολή όλων σε EEPROM

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Memory Size

1Mbit

Package Type

TSOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

32

Organisation

128 x 8 bit

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Maximum Operating Supply Voltage

5.5 V

Programming Voltage

2.7 → 5.5V

Number of Bits per Word

8bit

Dimensions

12.4 x 8.2 x 1.02mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Electrically Erasable PROM (EEPROM) with Parallel Access, Renesas Electronics

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Renesas Electronics R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit Parallel EEPROM Memory 32-Pin TSOP

P.O.A.

Renesas Electronics R1EV5801MBTDRDI#B0, 1Mbit Parallel EEPROM Memory 32-Pin TSOP

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Memory Size

1Mbit

Package Type

TSOP

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

32

Organisation

128 x 8 bit

Minimum Operating Supply Voltage

2.7 V

Maximum Operating Supply Voltage

5.5 V

Programming Voltage

2.7 → 5.5V

Number of Bits per Word

8bit

Dimensions

12.4 x 8.2 x 1.02mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+85 °C

Χώρα Προέλευσης

Japan

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Electrically Erasable PROM (EEPROM) with Parallel Access, Renesas Electronics