Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-59
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
10
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SC-59
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
2.9mm
Width
1.6mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος


