ROHM RGE80TS65DGC13 Single IGBT, 63 A 650 V, 3-Pin TO-247GE, Through Hole
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMMaximum Continuous Collector Current
63 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
200 W
Number of Transistors
1
Configuration
Single
Package Type
TO-247GE
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
1 Σακούλα των 1 (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
ROHM RGE80TS65DGC13 Single IGBT, 63 A 650 V, 3-Pin TO-247GE, Through Hole
2
P.O.A.
1 Σακούλα των 1 (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
ROHM RGE80TS65DGC13 Single IGBT, 63 A 650 V, 3-Pin TO-247GE, Through Hole
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMMaximum Continuous Collector Current
63 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30V
Maximum Power Dissipation
200 W
Number of Transistors
1
Configuration
Single
Package Type
TO-247GE
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3