Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Series
SCT2H12NZ
Package Type
TO-3PFM
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
21mm
Forward Diode Voltage
4.3V
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 11,17
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,851
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2
€ 11,17
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,851
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
2 - 8 | € 11,17 | € 22,34 |
10+ | € 9,45 | € 18,90 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Series
SCT2H12NZ
Package Type
TO-3PFM
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
21mm
Forward Diode Voltage
4.3V
Λεπτομέρειες Προϊόντος