Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Μπορεί να σας ενδιαφέρει

Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VΚατασκευαστής: Semikron Danfoss
P.O.A.Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VΚατασκευαστής: Semikron Danfoss
P.O.A.Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα κουτί) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα Κουτί των 12) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
12
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα Κουτί των 12) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
12
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Μπορεί να σας ενδιαφέρει

Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VΚατασκευαστής: Semikron Danfoss
P.O.A.Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VΚατασκευαστής: Semikron Danfoss
P.O.A.Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα κουτί) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Semikron DanfossMaximum Continuous Collector Current
200 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±15.0V
Number of Transistors
2
Configuration
Half Bridge
Μπορεί να σας ενδιαφέρει

Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VΚατασκευαστής: Semikron Danfoss
P.O.A.Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Semikron Danfoss SKM200GB12F4 Half Bridge IGBT Transistor Module, 200 A 1200 VΚατασκευαστής: Semikron Danfoss
P.O.A.Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα κουτί) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α