Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
80 W
Minimum DC Current Gain
8
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
800 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 87,75
€ 1,17 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 108,81
€ 1,451 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α
75
€ 87,75
€ 1,17 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 108,81
€ 1,451 Μονάδας (Σε μία ράγα των 75) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
75
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
|---|---|---|
| 75 - 75 | € 1,17 | € 87,75 |
| 150 - 300 | € 0,89 | € 66,75 |
| 375+ | € 0,81 | € 60,75 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
5 A
Maximum Collector Emitter Voltage
400 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
80 W
Minimum DC Current Gain
8
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
800 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


