Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
85 W
Minimum DC Current Gain
5
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
800 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
5
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
5
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
85 W
Minimum DC Current Gain
5
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
800 V
Maximum Emitter Base Voltage
9 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.


