STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Through Hole
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
27mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
79.4nC
Maximum Power Dissipation Pd
385W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
75°C
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
1
P.O.A.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
55A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Through Hole
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
27mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
79.4nC
Maximum Power Dissipation Pd
385W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
75°C
Standards/Approvals
RoHS
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China

