
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
56A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247-4
Series
STPOWER Gen3 SiC MOSFET
Mount Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
37mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
73nC
Maximum Power Dissipation Pd
389W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
200°C
Length
35.9mm
Height
5.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
30
P.O.A.
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
30
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
56A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247-4
Series
STPOWER Gen3 SiC MOSFET
Mount Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance Rds
37mΩ
Channel Mode
Enhancement
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
73nC
Maximum Power Dissipation Pd
389W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Operating Temperature
200°C
Length
35.9mm
Height
5.15mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China