STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
40mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
2.6V
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
AEC-Q101, RoHS
Length
15.25mm
Width
10.4 mm
Height
4.8mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
1
P.O.A.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
40mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
2.6V
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
54nC
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
AEC-Q101, RoHS
Length
15.25mm
Width
10.4 mm
Height
4.8mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
China

