SiC N-Channel SiC Power Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT10N120AG

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.52 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
25V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 419,35
€ 419,35 1 Ράγα των 30 (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 519,99
€ 519,99 1 Ράγα των 30 Με Φ.Π.Α
1
€ 419,35
€ 419,35 1 Ράγα των 30 (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 519,99
€ 519,99 1 Ράγα των 30 Με Φ.Π.Α
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.52 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
25V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC