STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
H2PAK
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
67mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
208W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Forward Voltage Vf
3.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.8 mm
Height
15.25mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
100
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
100
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
45A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
H2PAK
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
67mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
208W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
22 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
14nC
Forward Voltage Vf
3.3V
Maximum Operating Temperature
175°C
Width
4.8 mm
Height
15.25mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No

