STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
H²PAK-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.105 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
1000
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
H²PAK-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.105 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC

