STMicroelectronics SCTH90 SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
116 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
H²PAK-7
Series
SCTH90
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.024 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 48.210,00
€ 48,21 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 59.780,40
€ 59,78 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 48.210,00
€ 48,21 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 59.780,40
€ 59,78 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
116 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
H²PAK-7
Series
SCTH90
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.024 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1

