SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 650 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.055 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 22,94
€ 22,94 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 28,45
€ 28,45 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 22,94
€ 22,94 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 28,45
€ 28,45 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
45 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
SCT
Package Type
Hip247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.055 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC