STMicroelectronics SCTW70N SiC N-Channel MOSFET, 91 A, 1200 V, 3-Pin HiP247 SCTW70N120G2V

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
91 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
Hip247
Series
SCTW70N
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.021 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
€ 2.018,70
€ 67,29 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.503,19
€ 83,44 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 2.018,70
€ 67,29 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2.503,19
€ 83,44 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
91 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
Hip247
Series
SCTW70N
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.021 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.9V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1