STMicroelectronics SCTW90 Type N-Channel MOSFET, 119 A, 650 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCTW90N65G2V

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
119A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
Hip-247
Series
SCTW90
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
24mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
565W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
18 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
157nC
Forward Voltage Vf
2.5V
Maximum Operating Temperature
200°C
Width
5.15 mm
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 51,06
€ 51,06 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 63,31
€ 63,31 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 51,06
€ 51,06 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 63,31
€ 63,31 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
119A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
Hip-247
Series
SCTW90
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
24mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
565W
Maximum Gate Source Voltage Vgs
18 V
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
157nC
Forward Voltage Vf
2.5V
Maximum Operating Temperature
200°C
Width
5.15 mm
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No

